RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
59
Около -136% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3774
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Сравнения RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link