RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3563
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link