RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
23.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
4208
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link