RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2821
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link