RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
9.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2126
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link