RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
59
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
6.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1499
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link