RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
59
Около -168% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3515
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link