RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
59
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
42
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2701
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link