RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
59
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.4
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2371
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link