Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 59

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.3 4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.5 2,123.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 36
Скорость чтения, Гб/сек

4,833.8 9.3
Скорость записи, Гб/сек

2,123.3 7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

731 2081

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

Kingston 9965600-005.A00G 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB

модули RAM