RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
59
Около -157% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3327
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link