RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.6
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
59
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
1954
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link