RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3082
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link