RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2854
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link