RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3244
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link