RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3244
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link