RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3120
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link