RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.2
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2464
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link