RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
69
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2713
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link