Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.7

Среднее значение в тестах

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 69

Около -245% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.4 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 20
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 18.7
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 3287

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

модули RAM