RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
69
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3589
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link