RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
69
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
50
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3277
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link