RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2785
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8A-PB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link