RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
69
Около -263% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3066
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link