RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
71
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
71
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1813
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link