RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
69
79
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.8
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
79
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1330
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link