RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
69
Около -306% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.7
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
17
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
21.6
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3702
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link