RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
69
Около -245% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3217
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link