RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
69
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3171
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link