Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.3

Среднее значение в тестах

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

67 69

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 1,857.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

69 67
Скорость чтения, Гб/сек

4,217.2 15.3
Скорость записи, Гб/сек

1,857.7 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 2042

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB

модули RAM