RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2113
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link