RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
69
Около -214% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3035
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link