RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
69
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2430
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link