RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
69
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
10.0
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2068
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link