RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
69
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
10.3
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2327
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link