RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около -165% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2955
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link