RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Kingston 9905624-008.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
69
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2416
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link