RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
69
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.1
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3637
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link