RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
69
Около -263% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3370
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link