RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
69
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
11.8
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2199
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link