RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
16.3
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2849
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link