RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3405
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link