RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
65
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.7
2,451.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
12.3
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2302
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link