RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,451.8
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,605.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,451.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
2731
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link