Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB против Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Средняя оценка

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,451.8 10.9

Среднее значение в тестах

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 65

Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,605.9 15.5
Скорость записи, Гб/сек

2,451.8 10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

878 2370

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB

модули RAM