RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3809
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link