Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,784.6 12.6

Среднее значение в тестах

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 65

Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 17.2
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 3168

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston 9905713-004.A00G 4GB

Kingston 9905713-004.A00G 4GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston XRMWRN-HYA 16GB

Kingston XRMWRN-HYA 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

модули RAM

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM