RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3525
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link