RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
65
Около -71% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2856
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link