RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
65
Около -63% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
40
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3034
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link