RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
65
Около -195% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
4014
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link